SK Hynix: $38 млрд на чипи для ШІ в Південній Кореї до 2031

Південнокорейський гігант SK Hynix планує масштабні інвестиції у розмірі 54 трильйонів вон (приблизно 38 мільярдів доларів США) для значного розширення виробництва мікросхем пам'яті DRAM та NAND на території Південної Кореї до 2031 року. Цей стратегічний крок спрямований на подвоєння поточних обсягів випуску продукції, аби задовольнити зростаючий світовий попит, зумовлений передусім стрімким розвитком технологій штучного інтелекту.

Масштабні інвестиції SK Hynix: подвоєння потужностей для ШІ

SK Hynix, другий за величиною виробник пам'яті у світі, офіційно оголосив про наміри вкласти 54 трильйони вон ($38 млрд) у розширення своїх виробничих потужностей. Компанія планує збудувати новий завод для виготовлення пам'яті DRAM у місті Йонін та суттєво розширити існуюче виробництво NAND у Чхонджу. Ці заходи покликані майже вдвічі збільшити обсяги випуску критично важливих компонентів, що є прямою відповіддю на безпрецедентний попит з боку ринку штучного інтелекту та центрів обробки даних.

DRAM (динамічна оперативна пам'ять) є ключовою для високошвидкісної обробки інформації та обчислювальних систем, тоді як NAND (флеш-пам'ять) використовується для довгострокового зберігання великих обсягів даних, зокрема у твердотільних накопичувачах (SSD). Обидва типи пам'яті є фундаментальними для розвитку сучасної цифрової інфраструктури, особливо в контексті ШІ.

SK Hynix є одним з основних постачальників компонентів для ринку ШІ, будучи важливим партнером американської компанії Nvidia. Зростання попиту на високопродуктивну пам'ять для систем штучного інтелекту значно підтримало вартість акцій SK Hynix та загалом південнокорейський фондовий ринок в останні роки. Водночас, інвесторам варто враховувати, що папери компанії демонструють високу волатильність, чутливо реагуючи на зміни настроїв щодо майбутніх перспектив розвитку ШІ. Потужності SK Hynix вже законтрактовані до 2027 року, а компанія активно укладає довгострокові угоди з клієнтами, що свідчить про стабільний попит.

Деталі проєктів та державна підтримка напівпровідникової індустрії

Масштабні інвестиції SK Hynix передбачають реалізацію кількох ключових проєктів:

• Завод Yongin Y2: Це буде другий з чотирьох запланованих об'єктів у великому напівпровідниковому кластері Йоніна. Будівництво має розпочатися у липні 2027 року, а запуск першого чистого виробничого цеху очікується вже у червні 2029 року. На цьому підприємстві зосередяться на виробництві високопродуктивної пам'яті HBM (High Bandwidth Memory) та інших передових поколінь DRAM.
• Розширення Cheongju M17: Роботи з розширення виробництва NAND пам'яті у Чхонджу стартують у лютому 2027 року. Запуск першого чистого виробничого приміщення заплановано на кінець 2028 року, а загальний інвестиційний цикл за цим проєктом триватиме до квітня 2031 року.

Ці масштабні інвестиції SK Hynix є невід'ємною частиною ширшої державної стратегії Південної Кореї, спрямованої на зміцнення лідерських позицій країни у світовій напівпровідниковій галузі. Уряд, спільно з такими гігантами як Samsung Electronics, планує значно збільшити вкладення у розвиток національної виробничої бази та інфраструктури штучного інтелекту. Наприкінці червня влада Південної Кореї офіційно оголосила про амбітні плани подвоїти національні виробничі потужності з випуску пам'яті протягом наступних п'яти років. Метою є створення технологічної основи, що дозволить країні значно випередити глобальних конкурентів у сфері виробництва напівпровідників.